Samsung Electronics mengumumkan LPDDR3 SDRAM, yang diharapkan akan menjadi generasi DRAM yang memiliki konsumsi daya rendah, di ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 2012 (lecture number: 2.4).
"Ini akan menjadi DRAM utama untuk smartphone tahun ini," kata salah seorang juru bicara dari Samsung.
Kapasitas LPDDR3 SDRAM adalah 4 Gbits, dan diproduksi dengan menggunakan teknologi prosesing 30nm. Tegangan listrik adalah 1.2V. Maksimum transmisi data per terminal adalah 1.6Gbps. Karena lebar bus adalah 32 bit, data maksimum kecepatan transmisi dari seluruh chip bisa mencapai 6.4GBps. Ini adalah pertama kalinya bahwa sebuah produk LPDDR3 telah diumumkan di ISSCC.
 |
| Samsung LPDDR3 DRAM 4Gb |
LPDDR2 yang digunakan untuk smartphone yang ada saat ini, memiliki tingkat transmisi data maksimum 800Mbps per terminal. Dan data maksimum kecepatan transmisi dari seluruh chip adalah 3.2Gbps (ketika lebar bus adalah 32 bit). Tegangan listrik adalah 1.2V. Dengan kata lain, Samsung telah berhasil meningkatkan hingga dua kali lipat tingkat transmisi data maksimum per terminal tanpa mengubah tegangan listrik.
Luas chip dari LPDDR3 SDRAM 4 Gb ini adalah 82mm persegi . Chip ini memiliki kompatibilitas dengan LPDDR2 DRAM. Ini terdiri dari delapan bank dan memiliki delapan prefetches. Samsung memperbesar lebar dari inner data bus hingga dua kali lipat, dibandingkan dengan inner data bus dari LPDDR2, untuk meningkatkan kecepatan dan terminal terkonsentrasi pada terminals on the die (on die termination: ODT) untuk meningkatkan integritas tunggal.
 |
| Arsitektur DRAM |
Menurut Samsung, ada peningkatan permintaan untuk mobile DRAM berkecepatan tinggi untuk game 3D dan video high-definition (HD). Di sisi lain, konsumsi daya tidak dapat ditingkatkan karena keterbatasan dalam kekuatan anggaran.
Untuk mencapai kecepatan yang lebih tinggi dan konsumsi daya rendah pada saat yang sama, para pembuat DRAM mempertimbangkan metode drastis dengan meningkatkan rate transmisi data per terminal dan secara drastis meningkatkan jumlah terminal. Metode lama dengan mempekerjakan Serial IO, dan yang terbaru melalui pengenalan 2-channel aplikasi atau Wide IO.
Samsung mengatakan bahwa efisiensi daya dari Serial IO lebih rendah daripada LPDDR2. Adapun untuk Wide IO, Samsung mengatakan bahwa hal itu membuat analisis kegagalan (pemodelan SIP) menjadi sulit dan biaya meningkat karena tingkat keberhasilan yang rendah dalam proses laminasi. Oleh karena itu, Samsung menilai bahwa LPDDR3 adalah DRAM generasi berikutnya yang menjanjikan.
Via Tech-On!
Tidak ada komentar:
Posting Komentar