Samsung Kembangkan Mobile DRAM dengan Wide I/O Interface

SEOUL, Korea – 20 Februari 2011 - Samsung Electronics Co, Ltd, hari ini mengumumkan pengembangan 1 gigabit (Gb) mobile DRAM dengan wide I/O interface, menggunakan teknologi pemrosesan kelas 50 nanometer. Mobile DRAM wide I/O yang baru ini akan digunakan dalam aplikasi mobile, seperti smartphone dan tablet PC.

"Mengikuti perkembangan dari DRAM LPDDR2 4Gb (dynamic random access memory low-power DDR2) tahun lalu, solusi mobile DRAM terbaru kami dengan wide I/O interface merupakan kontribusi yang signifikan bagi kemajuan produk mobile dengan performa tinggi," kata Byungse So, senior vice president, memory product planning & application engineering di Samsung Electronics. "Kami akan terus agresif memperluas lini produksi dari memori mobile berkinerja tinggi kami untuk lebih mendorong pertumbuhan dari industri mobile."

Chip mobile DRAM baru dengan wide I/O dapat mengirimkan data pada kecepatan 12,8 gigabyte (GB) per detik, dengan meningkatkan bandwidth dari mobile DDR DRAM (1,6GB/detik) delapan kali lipat, sementara dilain pihak juga mengurangi konsumsi daya sekitar 87 persen. Untuk bandwidth juga meningkat empat kali lipat dari DRAM LPDDR2 (yang kira-kira 3,2GB/detik).

Untuk meningkatkan kecepatan transmisi data, Samsung wide I/O DRAM ini menggunakan 512 pin untuk input dan output data, berbanding dengan DRAM mobile generasi sebelumnya yang menggunakan maksimum 32 pin. Jika Anda memasukkan pin yang terlibat dalam pengiriman perintah dan pengatur power supply, maka Samsung wide I/O DRAM tunggal ini dirancang untuk menampung sekitar 1.200 pin.

Bersamaan dengan peluncuran wide I/O DRAM ini, Samsung juga merencanakan untuk membuat wide I/O mobile DRAM 4GB kelas 20nm sekitar tahun 2013. Prestasi terbaru Samsung di mobile DRAM termasuk juga dengan memperkenalkan DRAM LPDDR2 1Gb kelas 50nm pertama di dunia pada tahun 2009 dan DRAM LPDDR2 2Gb kelas 40nm pertama di dunia pada tahun 2010.

Samsung akan menyajikan makalah yang terkait dengan teknologi wide I/O DRAM pada International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2011 yang akan diselenggarakan pada tanggal 20-24 Februari di San Francisco. Menurut data analisis dari iSuppli, persentase mobile DRAM dari total pengiriman DRAM tahunan akan meningkat dari sekitar 11,1 persen di tahun 2010 menjadi 16,5 persen pada tahun 2014.