Kamis, 11 April 2013

Samsung mulai produksi massal chip memori NAND 128Gb 10nm


Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi massal chip memori NAND 128-gigabit (Gb), 3-bit multi-level-cell (MLC) menggunakan teknologi pemrosesan kelas 10 nanometer (nm) bulan ini. Chip baru yang sangat canggih ini akan memungkinkan solusi memori high-density seperti penyimpanan NAND tertanam dan solid state drive (SSD).

"Dengan memperkenalkan produk penyimpanan memori generasi berikutnya seperti chip NAND 128Gb, Samsung dalam situasi sangat baik untuk memenuhi pertumbuhan kebutuhan konsumen global," kata Jun Young-hyun, wakil presiden eksekutif, penjualan & pemasaran memori, Divisi Device Solutions (DS), Samsung Electronics. "Chip baru ini adalah produk penting dalam evolusi NAND flash, dengan produksi yang tepat waktu akan memungkinkan kita untuk meningkatkan daya saing kita dalam pasar penyimpanan memori yang berdensitas tinggi."

Samsung NAND flash 128Gb didasarkan pada desain 3-bit multi-level-cell dan teknologi pemrosesan kelas 10nm. Memori ini memiliki kepadatan tertinggi di dunia saat ini serta tingkat kinerja tertinggi dengan kecepatan transfer data 400 megabit per detik (mbps) berdasarkan toggle interface DDR 2.0.

Memanfaatkan memori NAND flash 128Gb, Samsung akan memperluas pasokan kartu memori dari 128 gigabyte (GB), yang dapat menyimpan sebanyak enam belas file video full HD 8GB. Samsung kini juga akan meningkatkan volume produksi SSD dengan kepadatan lebih 500GB untuk diadopsi lebih luas dari SSD dalam sistem komputer, untuk memimpin transisi drive penyimpanan utama di pasar notebook dari hard disk drive (HDD) ke SSD.

Permintaan untuk 3-bit flash NAND MLC berkinerja tinggi dan 128GB untuk kapasitas penyimpanan yang besar telah meningkat pesat, mendorong adopsi SSD untuk penyimpanan data yang lebih dari 250GB, yang saat ini dipimpin oleh Samsung SSD 840 Series.

Samsung telah mulai produksi memori NAND flash 64Gb kelas 10nm MLC pada bulan November tahun lalu, dan dalam waktu kurang dari lima bulan, telah menambahkan baru NAND flash 128Gb buat penyimpanan memori berdensitas tinggi di pasar. Chip memori NAND 128Gb yang baru ini juga memperluas lini produksi memori NAND 3-bit dari Samsung bersama dengan chip NAND flash 3-bit kelas 20nm yang diperkenalkan Samsung pada tahun 2010. Selanjutnya, chip NAND 128Gb 3-bit MLC yang baru ini akan menawarkan produktivitas lebih dari dua kali lipat daripada chip NAND 64Gb kelas 20nm MLC.

Samsung berencana untuk terus memperkenalkan SSD terdepan dan solusi penyimpanan memori yang tertanam dengan fitur berkualitas tinggi, dalam mempercepat pertumbuhan pasar memori premium.

Tidak ada komentar:

Posting Komentar