Kamis, 19 Januari 2012

Samsung mulai produksi massal memori untuk smartphone mid-low



SEOUL, Korea Selatan, 19 Januari 2012 - Samsung Electronics Co, Ltd hari ini mengumumkan mulai memproduksi memori embedded multi-chip package (eMCP) untuk digunakan di segmen pasar smartphone low-end dan mid-end yang terus berkembang pesat. Solusi eMCP baru dari Samsung ini datang dalam berbagai macam kerapatan, memanfaatkan DRAM LPDDR2 (low power double-data-rate 2) yang dibuat dengan teknologi kelas 30 nanometer (nm) dan memori NAND flash yang menggunakan teknologi kelas 20nm.

"Untuk memenuhi kebutuhan untuk pertumbuhan software yang lebih maju dan meningkatkan penyimpanan data di smartphone dan tablet, pembuat perangkat mobile diharapkan untuk memperkenalkan solusi embedded memory di tahun 2012 yang menawarkan kinerja dan kepadatan yang lebih tinggi," kata Kim Myung-ho, vice president of memory marketing, Device Solutions, Samsung Electronics. "Samsung akan lebih mempercepat pertumbuhan di pasar perangkat mobile seperti memperluas segmen memori yang lebih canggih dengan menyediakan line-up yang lebih luas dari solusi eMCP di tahun 2012."

Solusi memori eMCP yang baru ini diharapkan akan membantu smartphone kelas low-end dan mid-end dalam memberikan peningkatan kinerja dan daya hidup baterai yang lebih lama, sambil memberikan pengembang mobile handset dengan proses desain yang lebih sederhana.

Solusi Samsung embedded MCP yang dibuat dalam paket yang terdiri dari empat gigabyte (GB) e-MMC™ (Embedded MultiMediaCard™) berdasarkan memori NAND flash kelas 20nm untuk penyimpanan data, dan pilihan mulai dari 256 megabyte (MB), 512MB atau 768MB dari DRAM LPDDR2 kelas 30nm untuk mendukung kinerja tinggi dari sistem perangkat mobile. (Masing-masing setara dengan 2Gb, 4Gb dan 6GB)

Chip DRAM LPDDR2 kelas 30nm di eMCPs baru melakukan peran kunci dalam meningkatkan kinerja smartphone low-end dan mid-end dengan kecepatan transmisi data sebesar 1.066 megabit per detik (Mbps), yang menggandakan kinerja dari mobile DRAM (MDDR) sebelumnya. Bila dibandingkan dengan kelas DRAM LPDDR2 kelas 40nm, DRAM LPDDR2 baru kelas 30nm ini bisa meningkatkan kinerja hingga sekitar 30 persen, sementara untuk konsumsi daya turun hingga 25 persen lebih sedikit. Penerapan teknologi proses kelas 30nm juga akan meningkatkan produktivitas manufaktur chip sebesar 60 persen jika dibandingkan dengan teknologi kelas 40nm.

Samsung mulai memberikan kinerja tinggi lewat DRAM LPDDR2 4Gb kelas 30nm pada bulan Maret tahun lalu. Pada bulan Oktober, Samsung hadir dengan solusi kepadatan yang lebih tinggi seperti paket LPDDR2 2GB yang memberikan tumpukan empat DRAM LPDDR2 4Gb dan juga untuk pertama kali mulai menggunakan kelas DRAM LPDDR2 kelas 30nm untuk eMCPs. Untuk fokus pada pasar smartphone high-end, Samsung eMCPs sebelumnya menggabungkan DRAM LPDDR2 1GB kelas 30nm dengan memori eMMC 32GB menggunakan NAND flash kelas 20nm.

Tidak ada komentar:

Poskan Komentar