Samsung Electronics Co, Ltd, kemarin mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi memori low power double-data-rate 2 (LPDDR2) empat gigabit (Gb) dengan menggunakan teknologi kelas 20 nanometer (nm) pertama di dunia. DRAM (dynamic random access memory) mobile chip, yang telah masuk ke produksi massal bulan lalu, akan membantu pasar untuk menghadirkan perangkat canggih yang lebih cepat, lebih ringan dan memberikan baterai yang lebih tahan lama daripada perangkat mobile yang ada saat ini.
"Samsung mulai memperluas pasar untuk DRAM 4Gb tahun lalu dengan pertamakali memproduksi secara massal DRAM kelas 30nm, dan sekarang kita bekerja untuk menangkap sebagian besar pasar memori canggih dengan DRAM 4Gb jelas 20nm baru kami," kata Wanhoon Hong, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. "Di paruh kedua tahun ini, kita berharap dapat meningkatkan porsi DRAM kelas 20nm dalam produksi DRAM kami secara keseluruhan untuk membuat line-up DRAM 4Gb sebagai produk utama dalam produksi DRAM, dan itu bisa menjaga posisi kepemimpinan kami dalam pasar premium dan memperkuat keunggulan kompetitif kami."
Peningkatan smartphone dan tablet berlayar lebar yang dilengkapi dengan CPU multi-core menyebabkan pesatnya pertumbuhan pasar mobile, ada ada permintaan besar untuk produk memori yang lebih hemat energi dan lebih tinggi kapasitasnya yang menjamin hidup baterai yang lebih lama, serta kecepatan proses yang lebih cepat.
Samsung DRAM Mobile 4Gb kelas 20nm merupakan memori mobile tertipis, tertinggi kepadatannya, dan tercepat kinerjanya, yang memungkinkan desain perangkat mobile yang super tipis, serta keunggulan sistem generasi berikutnya buat produsen perangkat mobile dan penyedia solusi enterprise.
Selanjutnya, berdasarkan komponen 4Gb, Samsung dapat memberikan solusi 2-Gigabyte (GB) dengan ketebalan yang sangat tipis 0,8 milimeter (mm), yang menumpuk empat chip LPDDR2 4Gb dalam satu paket LPDDR2 tunggal. Paket baru ini sekitar 20 persen lebih tipis dari paket 2GB yang menumpuk empat chip LPDDR2 4Gb kelas 30nm. Juga, paket 2GB baru dapat memproses data hingga 1.066 megabit per detik (Mbps), yang menghabiskan jumlah daya yang sama seperti paket 2GB kelas 30nm sebelumnya. Manfaat dari LPDDR2 4Gb kelas 20nm baru ini akan membantu mempercepat pertumbuhan pasar DRAM 4Gb.
Samsung mengharapkan LPDDR2 4G kelas 20nm yang baru diperkenalkan ini bisa cepat menggantikan LPDDR2 1GB berbasis 2Gb kelas 30nm yang di suplai terbatas pada ketebalan 0,8 mm.
Produksi LPDDR2 4Gb kelas 20nm ini memastikan jangkauan terluas produk DRAM mobile dari Samsung di industri ini. Pencapaian ini mengikuti prestasi Samsung sebelumnya dengan DRAM kelas 20nm, ketika Samsung meluncurkan modul DDR3 8GB kelas 20nm pertama di dunia untuk PC dan notebook pada bulan Maret yang lalu.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar