Samsung mulai produksi DRAM mobile 4Gb LPDDR3 dengan teknologi 20nm

Samsung Electronics hari ini mengumumkan produksi DRAM mobile ultra-high-speed 4 gigabit (Gb) low power double data rate 3 (LPDDR3) pertama di dunia yang dibuat pada teknologi pemrosesan node kelas 20 nanometer (nm).

DRAM mobile baru 4Gb LPDDR3 memungkinkan tingkat kinerja yang sebanding dengan DRAM standar digunakan di personal computer (PC), membuatnya menjadi solusi menarik untuk mereka yang menuntut fitur multimedia yang intensif pada perangkat mobile generasi berikutnya seperti smartphone dan tablet dengan kinerja tinggi.

"Dengan menyediakan memori mobile generasi berikutnya yang paling efisien dengan kapasitas data yang sangat besar, kita sekarang memungkinkan OEM untuk memperkenalkan desain yang lebih inovatif di pasar," kata Jun Young-hyun, wakil presiden eksekutif untuk penjualan & pemasaran memori di Samsung Elektronics. "DRAM mobile empat gigabit kelas 20nm kami memberikan contoh lain dari kemampuan kami untuk menghadirkan memori berdensitas tinggi yang berbeda, berkinerja tinggi, memori yang berdensitas tinggi kepada pelanggan secara tepat waktu."

DRAM mobile 4Gb LPDDR3 dapat mengirimkan data hingga 2.133 megabit per detik (Mbps) per pin, yang lebih dari dua kali lipat kinerja memori mobile sebelumnya dengan standar DRAM (LPDDR2) dengan kecepatan transmisi data 800Mbps. Memori ini sekarang memungkinkan untuk mengirimkan tiga video full HD, secara kolektif yang besarnya 17 Gigabyte (GB), dalam satu detik melalui chip Samsung baru yang tertanam dalam perangkat mobile.

DRAM mobile LPDDR3 Samsung dengan kelas 20nm memungkinkan tampilan mulus video full HD pada smartphone dengan layar lima inci atau yang lebih besar. Dibandingkan dengan DRAM LPDDR3 kelas 30nm, perangkat baru bisa menghasilkan lebih dari 30 persen peningkatan dalam kinerja dan 20 persen penghematan dalam konsumsi daya.

Sementara gadget mobile terus menurunkan ketebalannya, kemasan baterai telah meningkat dalam ukuran. Dengan mengadopsi Samsung DRAM mobile LPDDR3 4Gb, OEM dapat memiliki paket 2GB yang meliputi empat dari chip baru Samsung dalam satu paket yang memenuhi paket ketebalan memori yang cuma 0,8 milimeter (mm).

Mewakili faktor pertumbuhan utama di pasar DRAM, Samsung berencana untuk meningkatkan produksi DRAM mobile canggih kelas 20nm pada akhir tahun ini, memperkuat daya saingnya sebagai pemimpin dalam industri memori.