Profesor Park Chul-min, guru besar di Universitas Yonsei di Seoul, Korea Selatan, bersama dengan tim risetnya kemarin (3/12) mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan perangkat memori fleksibel berdensitas tinggi yang mampu menyimpan empat state, termasuk membaca dan menulis, dalam cell. Perkembangan baru ini diharapkan dapat membawa perubahan untuk proses pembuatan memori yang lebih murah secara massal.
Profesor Park Chul-min |
"Kami menemukan untuk pertama kalinya bahwa tekanan listrik dapat digunakan untuk mengontrol ferroelectrics dengan state polimer tinggi," kata sang profesor, sambil menambahkan, "Kami menerapkan penemuan ini untuk meningkatkan tingkatan integrasi perangkat memori fleksibel."
Tidak ada komentar:
Posting Komentar